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青春脚步
王洪娟:潜心钻研 勇攀学术高峰

人物简介:博士研究生王洪娟在校期间发表SCI论文6篇,国际会议口头报告6次,其中邀请报告一次,16年10月获得ICSICT国际学术会议“Excellent student paper award“,获得博士研究生国家奖学金3次,拥有两项国家授权发明专利。

硕士提前毕业、多次获得研究生国家奖学金、多次参加国际学术会议并获奖

话不多、穿着朴素、素面朝天,典型的“工科女”。本科专业电子科学与技术,对场效应晶体管的印象仅限于将其用于电路设计中。硕士开始师从刚从新加坡国立大学回国的韩根全教授,从此开始跟微电子结缘,并一发不可收拾的喜欢上了这个专业,潜心钻研下,取得了一系列成果。

硕士期间发表SCI论文4篇,国际会议口头报告3次,其中邀请报告1次,获得授权发明专利2项,两次获得研究生国家奖学金,硕士提前毕业并获得2015年优秀硕士毕业生荣誉称号。硕士期间,针对IV族材料TEFT和MOSFET器件性能提升进行了深入的研究,其成功制备了锗作为源极且硅作为沟道和漏极的TFET器件,实现了小于60 mV/decade的陡峭亚阈值摆幅,该成果发表在Chinese Physics Letter 30 (2013) 088502;研究了基于低温乙硅烷钝化的锗及锗锡材料的MOSFET器件包括负偏压温度不稳定等在内的性质,相关成果发表在ECS Solid State Letters, 3 (2014) 11-13 及Chinese Physics Letter 31 (2014) 058503;设计了异质结增强TFET即基于不同组分的锗锡材料之间形成异质结设计器件结构,实现器件工作电流的大幅度提升,该成果发表在Superlattice and Microstructures 83 (2015) 401-410;研究了引入应变之后的锗锡材料的能带变化,设计了新型的应变TFET结构,相关成果在2015 VLSI Technology, System and Application (VLSI-TSA)会议上做口头报告;基于锗锡材料及应变工程申请了两项国家发明专利且均获得授权 (双轴张应变GeSn n沟道隧穿场效应晶体管ZL 2014 1 0057748.5,带有源应变源的GeSn n沟道隧穿场效应晶体管 ZL 2014 1 0057722.0)。

2016年3月博士入学至今,王洪娟继续针对TEFT及高性能MOSFET器件进行深入的研究,已经发表SCI论文2篇,国际会议口头报告3次并获得International Conference on Solid -State and Integrated Circuit Technology (ICSICT) 2016国际会议优秀学生论文奖 (Excellent Student Paper Award),获得2016年博士研究生国家奖学金及一等学业奖学金。其基于锗锡与硅锗锡材料设计了II型异质结P和N型TFET器件,完成了一系列仿真并进行了深入的分析,相关成果发表在IEEE Transactions on Electron Devices, vol 63, no 1, 2016及Japanese Journal of Applied Physics, vol 55, no 4, 2016;研究了沿Fin方向施加单轴张应变时鳍形TFET器件性能的变化,相关结果已经投稿到IEEE Transactions on Electron Devices及Japanese Journal of Applied Physics上,且部分已经在2016 Solid State Devices and Material (SSDM)国际会议上以口头报告的形式发表;还对基于锗及锗锡材料的TFET及MOSFET器件进行了实验测试分析,相关成果发表在2016 International Conference on the Physics of Semiconductors(ICPS)及2016 ICSICT,且在ICSICT会议上受到业内广泛好评并获得Excellent Student Paper Award。

乐观积极,严谨踏实,在快乐中学习

作为王洪娟的直系师妹,韩根全教授的硕士研究生阚杨若颖,每当提起这个“奇葩”师姐,她总说:“这个师姐总是很乐观积极,能够在很愉快的气氛中解决科研中遇到的问题。虽然生活中挺迷糊的,但是一讲到学术问题,能够瞬间转换模式,变得严谨起来。还很热心,总能跟师弟师妹们打成一片,帮助解决学术研究中遇到的一些问题,是个很不错的师姐。”

努力踏实、敢于拼搏、积极乐观

在导师韩根全教授的眼中,王洪娟是一个能够把握机会、敢于拼搏且踏实严谨的学生。他评价说:“王洪娟在搞好科研的同时,对学习没有一丝的懈怠,一直努力上进,踏实好学且积极乐观。学术上获得的成果也是有目共睹的,发表论文多篇,获奖多项,成绩斐然。”

学术道路上没有一帆风顺,踏实严谨才能越走越远

“在很多人眼中,我是很幸运的,幸运的发表了多篇论文,幸运的参加过多次国际会议,获得多个奖项”,她说:“但是他们没有看到我的努力。初次接触TFET与MOSFET器件的我是懵的,不懂工作原理,甚至连最基本专业术语都没有掌握。怎么办?只有从基础抓起。大量阅读相关文献,了解研究背景,掌握相关基础知识。这个过程是漫长的,但是只有耐心下来踏实的完成这个学习的过程,才能有个质的提高。”

“我确实又是幸运的,因为遇到了一个醉心科研,踏实做学术的导师韩根全教授,他会给学生指明方向,让学生少走很多弯路。但学术的道路上充满了各种困难,不是有一个好导师就万事大吉了,还需要自己继续努力。就拿器件仿真来说,师妹们是很幸福的,因为我在教他们的过程中会把自己遇到过的问题直接告诉他们,进而效率大大提高。但回想自己初次接触Sentaurus软件时,可以说两眼摸黑,根本就不知道该如何开始。问了很多人,回复我的话很多都是‘我没有遇到过这些问题,你再研究研究’。我也曾抱怨过这些人为什么不懂得分享,不乐于助人呢,后来我想明白了,别人没有义务帮你,所幸后来一步一步的解决了各种问题,终于能够熟练的掌握计算方法,也出了一些成果。

感谢我的导师,是他让我走上了科研的道路,感谢那些帮助过我的人,是他们让我少走弯路,并有了一颗乐于助人的心,也感谢‘那些不能给我帮助’的人,是他们让我学会独立的解决问题,认识到科研的道路上没有一帆风顺,唯有踏实严谨才能走的更远。”


(文/西电新闻中心·卢 毅  程 珺)

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